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TPNTA4153NT1G
1个N沟道 耐压:20V 电流:0.8A
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPNTA4153NT1G
- 商品编号
- C2875154
- 商品封装
- SOT-523
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 800mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 280mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 120pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
The CSD86336Q3D NexFET™ power block is an optimized design solution for synchronous buck applications, capable of delivering high current, high efficiency, and high-frequency performance in a compact 3.3mm × 3.3mm package. This product is optimized for 5V gate drive applications and provides a flexible solution for high-density power supplies when used with any 5V gate drive from an external controller/driver.
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 20V,漏极电流(ID) = 0.8A
- 当栅源电压(VGS) = 4.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 250 mΩ
- 当栅源电压(VGS) = 2.5V 时,导通电阻(RDS(ON)) < 300mΩ
- 静电放电(ESD)保护
应用领域
- 负载/电源开关
- 接口开关
- 超小型便携式电子设备的电池管理
- 逻辑电平转换