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NT5CC64M16GP-DII
DDR3(L) 1Gb SDRAM
- 描述
- 特性：基本DDR3兼容。 8n预取架构，差分时钟(CK/CK)和数据选通(DQS/DQS)，DQs、DQS和DM上的双倍数据速率。 数据完整性：通过DRAM内置TS实现自动自刷新(ASR)，具备自动刷新和自刷新模式。 节能模式：部分阵列自刷新(PASR)，掉电模式。 信号完整性：可配置DS以实现系统兼容性，可配置片上终端，通过外部ZQ焊盘(240欧姆 ± 1%)进行ZQ校准以确保DS/ODT阻抗精度。 信号同步：通过MR设置进行写电平调整，通过MPR进行读电平调整
- 品牌名称
- Nanya(南亚科技)
- 商品型号
- NT5CC64M16GP-DII
- 商品编号
- C2875172
- 商品封装
- VFBGA-96
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.642克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 800MHz | |
| 存储容量 | 1Gbit | |
| 工作电压 | 1.35V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；自动预充电功能；ZQ校准功能；异步复位功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品概述
该1Gb双倍数据速率3（DDR3(L)）G-die DRAM采用双倍数据速率架构以实现高速运行。其内部配置为八bank的DRAM。该1Gb芯片组织为16Mbit x 8 I/O x 8 bank或8Mbit x 16 I/O x 8 bank器件。这些同步器件可实现高达2133 Mb/引脚/秒的高速双倍数据速率传输速率，适用于通用应用。该芯片设计符合所有关键的DDR3(L) DRAM特性，所有控制和地址输入均与一对外部提供的差分时钟同步。输入在差分时钟的交叉点（CK上升沿和CK（上划线）下降沿）锁存。所有I/O均以源同步方式与单端DQS或差分DQS对同步。这些器件采用1.5V ±0.075V或1.35V -0.067/+0.1V单电源供电，并提供BGA封装。
商品特性
- 符合DDR3基本规范
- 8n预取架构
- 差分时钟（CK/CK（上划线））和数据选通（DQS/DQS（上划线））
- DQ、DQS和DM上的双倍数据速率
- 由DRAM内置温度传感器实现的自动自刷新
- 自动刷新和自刷新模式
- 部分阵列自刷新
- 掉电模式
- 可配置驱动强度以提升系统兼容性
- 可配置片上终端
- 通过外部ZQ焊盘（240欧姆 ±1%）进行ZQ校准，以实现驱动强度/片上终端阻抗精度
- 通过模式寄存器设置实现写入均衡
- 通过多用途寄存器实现读取均衡
- 对于DDR3：SSTL_15接口，VDD/VDDQ=1.5V（±0.075V）
- 对于DDR3L：SSTL_135接口，VDD/VDDQ=1.35V（-0.067/+0.1V）