LM66100DCKR

LM66100是一款单输入单输出（SISO）集成理想二极管，非常适合各种应用。该器件包含一个P沟道MOSFET，可在1.5 V至5.5 V的输入电压范围内工作，最大连续电流支持1.5 A。

芯片使能功能通过将CE引脚电压与输入电压进行比较来实现。当CE引脚电压高于VIN时，器件禁用，MOSFET关断。当CE引脚电压较低时，MOSFET导通。LM66100还具备反极性保护（RPP）功能，可保护器件免受输入接线错误（如电池接反）的影响。

两个LM66100器件可以采用类似双二极管或门实现的或门配置。在这种配置中，器件将最高输入电压传递到输出，同时阻止反向电流流入输入电源。这些器件可以通过内部电压比较器比较输入和输出电压，确保阻断反向电流。

LM66100采用标准SC - 70封装，其工作结温范围为 - 40℃至125℃。

• 宽工作电压范围：1.5 V – 5.5 V
• VIN上的反向电压承受能力：绝对最大 - 6 V
• 最大连续电流（IMAX）：1.5 A
• 导通电阻（RON）：
  • 5-V VIN = 79 mΩ（典型值）
  • 3.6-V VIN = 91 mΩ（典型值）
  • 1.8-V VIN = 141 mΩ（典型值）
• 比较器芯片使能（CE）
• 通道状态指示（ST）
• 低电流消耗：
  • 3.6-V VIN关断电流（ISD,VIN）：120 nA（典型值）
  • 3.6-V VIN静态电流（IQ,VIN）：150 nA（典型值）

• 智能电表
• 楼宇自动化
• GPS和跟踪设备
• 主电池和备用电池