TPS2101DBVT
TPS2101DBVT
- 描述
- TPS2101 使能端高电平有效、具有补偿温度功能的 2.7V 至 4V、250mΩ、0.5A、1.3Ω、0.01A 电源多路复用器
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- TPS2101DBVT
- 商品编号
- C2861060
- 商品封装
- SOT-23-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 功率电子开关 | |
| 类型 | 高侧开关 | |
| 通道数 | 2 | |
| 输入控制逻辑 | 低电平有效 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 最大连续电流 | 10mA;500mA | |
| 工作电压 | 2.7V~4V | |
| 导通电阻 | 250mΩ | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ |
商品概述
TPS2100和TPS2101是双输入、单输出电源开关,旨在实现两个独立电源切换时输出电压不间断。两款器件均将一个n沟道(250 mΩ)和一个p沟道(1.3 Ω)MOSFET集成于单输出电路中。p沟道MOSFET(IN2)用于为待机模式提供小电流的辅助电源。n沟道MOSFET(IN1)用于为正常工作提供大电流的主电源。当电源稳压和系统电压降要求严格时,低导通电阻使n沟道成为主电源大电流的理想通路。使用p沟道MOSFET时,静态电流降至0.75 μA,以降低待机电源的功耗。TPS2100和TPS2101中的MOSFET没有分立MOSFET中常见的寄生二极管,可在开关关闭时防止电流倒灌。
商品特性
- 双输入、单输出MOSFET开关,无反向电流(无寄生二极管)
- IN1... 250 mΩ、500 mA n沟道;最大电源电流16 μA
- IN2... 1.3 Ω、10 mA p沟道;最大电源电流1.5 μA(VAUX模式)
- 先进的开关控制逻辑
- 与CMOS和TTL兼容的使能输入
- 可控制上升、下降和转换时间
- 2.7 V至4 V工作范围
- SOT - 23 - 5和SOIC - 8封装
- -40℃至70℃环境温度范围
- 人体模型δ kV、带电器件模型750 V、机器模型200 V静电放电保护
应用领域
- 用于CardBus控制器的VAUX应用
交货周期
订货7-9个工作日购买数量
(250个/圆盘,最小起订量 1000 个)个
起订量:1000 个250个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交0单
