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HYG072N08NR1P
N沟道增强型MOSFET,电流:100A,耐压:80V
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- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG072N08NR1P
- 商品编号
- C2857454
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.03克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 7.9mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 188W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 68nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.77nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 164pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 365pF |
商品特性
- 100V/280A
- 当VGS = 10V时，RDS(ON) = 1.8mΩ（典型值）
- 经过100%雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤环保器件可供选择（符合RoHS标准）
应用领域
- 能量存储-电池保护-电机控制