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HYG035N08NS2P
N沟道增强型MOSFET 1个N沟道 耐压:80V 电流:135A
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- 描述
- 特性：80V/135A，RDS(ON)=3.5mΩ（典型值），VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠且耐用。 提供无铅和环保器件（符合RoHS标准）。应用：开关应用。 逆变器系统电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG035N08NS2P
- 商品编号
- C2857455
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.06克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 150W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 75nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 2.63nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 170pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1.87nF |
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