温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
HYG050N10NS1P
N沟道增强型MOSFET,电流:135A,耐压:100V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG050N10NS1P
- 商品编号
- C2857458
- 商品封装
- TO-220FB-3L
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 135A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.2mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 189.8W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 100nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 6.359nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 77pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 716pF |
商品概述
HGQ065NE4A是采用高密度沟槽技术制造的硅N沟道增强型VDMOSFET，该技术可降低导通损耗、改善开关性能并增强雪崩能量。此器件适用于作为负载开关和PWM应用。其封装形式为PDFN5*6，符合RoHS标准。
商品特性
- 快速开关
- 低导通电阻（Rd（on）为6.5 mΩ）
- 低栅极电荷
- 低反向传输电容
- 100%单脉冲雪崩能量测试
应用领域
- 适配器和充电器的电源开关电路-电子烟、电动工具
相似推荐
其他推荐