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SI2302AI-MS
A2SHB 1个N沟道 耐压:20V 电流:3A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V，ID = 3A。 RDS(ON) < 80mΩ @ VGS = 2.5V。 RDS(ON) < 50mΩ @ VGS = 4.5V。 高功率和电流处理能力。 无铅产品。 表面贴装封装。应用：电池保护。 负载开关
- 品牌名称
- MSKSEMI(美森科)
- 商品型号
- SI2302AI-MS
- 商品编号
- C2847033
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 80mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 800mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.2V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 5nC | |
| 输入电容(Ciss) | 240pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 23pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 输出电容(Coss) | 45pF |
商品概述
超高密度单元设计，实现极低的导通电阻RDS(ON) 可靠耐用。 采用SOT-323表面贴装封装。 静电放电（ESD）等级：>2000V 人体模型（HBM）
商品特性
- VDS = 20 V,ID = 3 A
- 在VGS = 2.5V时,RDS(ON) < 80mΩ
- 在VGS = 4.5V时,RDS(ON) < 50mΩ
- 高功率和高电流处理能力
- 提供无铅产品
- 表面贴装封装
应用领域
- 电池保护
- 负载开关
- 电源管理