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HYG190C04LA1S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG190C04LA1S

40V, 9A, 40V N/P沟道MOSFET

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:100%雪崩测试。 可靠耐用。 无卤环保设备(符合RoHS标准)。应用:同步整流器。 无线电源
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG190C04LA1S
商品编号
C2844408
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.264克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))3V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20.1nC@10V
输入电容(Ciss)1.012nF
反向传输电容(Crss)63pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)79pF

商品特性

  • 当VGS为 -10V、ID为 -500mA 时,RDS(ON) < 4Ω
  • 当VGS为 -4.5V、ID为 -200mA 时,RDS(ON) < 6Ω
  • 当VGS为 -2.5V、ID为 -50mA 时,RDS(ON) < 13Ω
  • 先进的沟槽工艺技术
  • 符合欧盟 RoHS 2011/65/EU 指令的无铅产品
  • 符合 IEC61249 标准的绿色模塑料(无卤)

数据手册PDF