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HYG190C04LA1S实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG190C04LA1S

40V, 9A, 40V N/P沟道MOSFET

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描述
特性:100%雪崩测试。 可靠耐用。 无卤环保设备(符合RoHS标准)。应用:同步整流器。 无线电源
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG190C04LA1S
商品编号
C2844408
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.264克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道+1个P沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)9A
导通电阻(RDS(on))19mΩ@10V
耗散功率(Pd)3W
阈值电压(Vgs(th))3V
属性参数值
栅极电荷量(Qg)20.1nC@10V
输入电容(Ciss)1.012nF
反向传输电容(Crss)63pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道+P沟道
输出电容(Coss)79pF

商品特性

  • N沟道
  • P沟道
  • 漏源电压(Vds) = 40V
  • 漏源电压(Vds) = -40V
  • 9A(栅源电压Vgs = 10V)
  • -6.2A(栅源电压Vgs = -10V)
  • 15mΩ(栅源电压Vgs = 10V)
  • 32mΩ(栅源电压Vgs = -10V)
  • 20mΩ(栅源电压Vgs = 4.5V)
  • 47mΩ(栅源电压Vgs = -4.5V)
  • 100%雪崩测试
  • 可靠耐用
  • 提供无卤环保器件(符合RoHS标准)

应用领域

-同步整流器-无线充电-H桥电机驱动

数据手册PDF