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HYG120P06LR1D
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:60V 电流:55A
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- 描述
- 特性：- 60V/-55A。RDS(ON)= 12.5mΩ (典型值) @ VGS = -10V。RDS(ON)= 18mΩ (典型值) @ VGS = -4.5V。100%雪崩测试。可靠耐用。提供无卤环保产品（符合RoHS标准）。应用：直流/直流转换器的电源管理。 负载开关
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG120P06LR1D
- 商品编号
- C2844410
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.53克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 55A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 16mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 75W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 91.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.882nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 195pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 285pF |
优惠活动
购买数量
(2500个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个2500个/圆盘
总价金额：
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