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HYG053N10NS1P实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

HYG053N10NS1P

耐压:100V 电流:120A

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
描述
特性:100V/120A,RDS(ON)=4.8 mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无卤器件。应用:开关应用。 逆变器系统电源管理
品牌名称
HUAYI(华羿微)
商品型号
HYG053N10NS1P
商品编号
C2844409
商品封装
TO-220FB​
包装方式
管装
商品毛重
3.01克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)100V
连续漏极电流(Id)120A
导通电阻(RDS(on))5.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)187.5W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))4V@250uA
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)4.036nF
反向传输电容(Crss)76pF
输出电容(Coss)1.41nF

商品特性

  • 60V/120A
  • 栅源电压(VGS)为 10V 时,导通电阻(RDS(ON))典型值为 4.2mΩ
  • 提供无铅环保器件
  • 低导通电阻以降低传导损耗
  • 高雪崩电流
  • 经过 100% 雪崩测试

应用领域

  • 电源
  • 直流-直流转换器
  • 不间断电源(UPS)
  • 电池管理系统

数据手册PDF