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HYG053N10NS1P
耐压:100V 电流:120A
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- 描述
- 特性：100V/120A，RDS(ON)=4.8 mΩ(典型值)@VGS = 10V。 100%雪崩测试。 可靠耐用。 有符合RoHS标准的无卤器件。应用：开关应用。 逆变器系统电源管理
- 品牌名称
- HUAYI(华羿微)
- 商品型号
- HYG053N10NS1P
- 商品编号
- C2844409
- 商品封装
- TO-220FB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.11克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 100V | |
| 连续漏极电流(Id) | 120A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5.5mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 187.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 4.036nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 76pF | |
| 输出电容(Coss) | 1.41nF |
商品特性
- 100V/120A
- RDS(ON) = 4.8 mΩ(典型值),VGS = 10 V 时
- 100% 雪崩测试
- 可靠耐用
- 有无卤器件(符合 RoHS 标准)
应用领域
-开关应用-逆变器系统电源管理-电池管理
- HYG120P06LR1D
- CG221ME811BP
- CX680MVE30B
- CK221MOH40B
- CK103MGI45B
- V3R6B0201HQC250NAT
- V2R0B0402HQC500NBT
- BSMD0603-050-9V
- BSMD0603-050-12V
- BSMD0805-035-12V
- BSMD1812L-600-12V
- 67-23/R6GHBHC-B05/2T
- DL-RFM95-868M
- DL-RFM95-915M
- DL-RFM96-433M
- DL-RFM69HC-433M
- DL-RFM69HC-868M
- DL-RFM69HC-915M
- DL-F8-5G
- 150353M153300
- HoLR2512-3W-2mR-1%