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IAUAN04S7N004AUMA1
OptiMOS TM7系列40V汽车级功率MOSFET
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- 描述
- 特性：用于汽车应用的N沟道OptiMOS功率MOSFET。 增强模式。 正常电平。 超出AEC-Q101的扩展认证。 增强型电气测试。 稳健设计。应用：一般汽车应用
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IAUAN04S7N004AUMA1
- 商品编号
- C28487916
- 商品封装
- HSOF-5
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.45克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 570A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 0.39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 238W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@150uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 190nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 12.9nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 270pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 7.5nF |
商品概述
HSH044N25是高性能沟槽型N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。HSH044N25符合RoHS和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的可靠性认证。超低栅极电荷，出色的Cdv/dt效应抑制能力，采用先进的高单元密度沟槽技术。
商品特性
- 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件
- 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术