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IXTH40N50L2
N沟道 500V 40A
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH40N50L2
- 商品编号
- C28490628
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 11.333333克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 170mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 540W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 320nC |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 10.4nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 155pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | 独立式 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 655pF | |
| 栅极电压(Vgs) | ±20V |
商品概述
HSP044N25是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP044N25符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 专为线性工作设计
- 符合国际标准封装
- 雪崩额定
- 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 75°C时保证正向偏置安全工作区(FBSOA)
应用领域
- 固态断路器
- 软启动控制
- 线性放大器
- 可编程负载
- 电流调节器