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商品参数
参数完善中
商品概述
HSP044N25是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 HSP044N25符合RoHS和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。 超低栅极电荷
- 提供绿色环保器件 出色的Cdv/dt效应抑制能力
- 先进的高单元密度沟槽技术
商品特性
- 专为线性工作设计
- 符合国际标准封装
- 雪崩额定
- 模塑环氧树脂符合UL 94 V-0阻燃等级
- 75°C时保证正向偏置安全工作区(FBSOA)
应用领域
- 固态断路器
- 软启动控制
- 线性放大器
- 可编程负载
- 电流调节器
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