- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
IMZA75R016M1HXKSA1
750V CoolSiC功率器件G1
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- 描述
- 750V产品基于英飞凌20多年来开发的碳化硅技术。利用宽带隙碳化硅材料的特性，提供了性能、可靠性和易用性的独特组合。适用于高温和恶劣的工作环境，可实现最高系统效率的简化且经济高效的部署。
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IMZA75R016M1HXKSA1
- 商品编号
- C28489493
- 商品封装
- TO-247-4
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 碳化硅场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 类型 | N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 750V | |
| 连续漏极电流(Id) | 89A | |
| 耗散功率(Pd) | 319W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5.6V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 81nC | |
| 输入电容(Ciss) | 2.869nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 17pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 输出电容(Coss) | 236pF | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ |
商品特性
- 高度稳健的750V技术，100%雪崩测试
- 业界领先的R_DS(on) × Q_fr
- 优异的R_DS(on) × Q_oss和R_DS(on) × Q_G
- 低C_rss / C_iss与高V_GS(th)的独特组合
- 英飞凌专有的芯片贴装技术
- 提供驱动源极引脚
应用领域
- 电动汽车充电基础设施
- 太阳能光伏逆变器
- 不间断电源
- 储能与电池化成
- 电信与服务器开关电源