温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准

4435

P沟道MOSFET,电流:10A,耐压:30V

SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样

描述: 4435采用先进的沟槽技术，可提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。
品牌名称: GOFORD(谷峰)
商品型号: 4435
商品编号: C2840765
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.217克(g)

商品参数

商品概述

双 P 沟道 30 V（D - S）MOSFET，PowerPAK 1212 - 8 在小尺寸封装下提供超低热阻抗，非常适合空间受限的应用。它是 PowerPAK SO - 8 的衍生产品，采用相同的封装技术，最大化芯片面积。芯片附着焊盘底部外露，为安装器件的基板提供直接、低电阻的热路径，将 PowerPAK SO - 8 的优势融入更小的封装，具备同等水平的热性能。其占地面积与 TSOP - 6 相当，比标准 TSSOP - 8 小 40%以上，芯片容量是标准 TSOP - 6 的两倍多，热性能比 SO - 8 好一个数量级，比 TSSOP - 8 好 20 倍，能利用任何 PC 板散热器能力，与 TSSOP - 8 相比可降低结温并使芯片效率提高约 20%。单双 PowerPAK 1212 - 8 与单双 PowerPAK SO - 8 使用相同的引脚排列，1.05 mm 的低高度轮廓使其成为空间受限应用的理想选择。

商品特性

符合 IEC 61249 - 2 - 21 标准的无卤产品
TrenchFET 功率 MOSFET
新型低热阻 PowerPAK 封装

应用领域

便携式设备-电池开关-负载开关

	属性	参数值
	商品目录	场效应管(MOSFET)
	数量	1个P沟道
	漏源电压(Vdss)	30V
	连续漏极电流(Id)	10A
	导通电阻(RDS(on))	16mΩ@10V；20mΩ@4.5V
	耗散功率(Pd)	3.1W

	属性	参数值
	阈值电压(Vgs(th))	1.6V@250uA
	栅极电荷量(Qg)	30nC@10V
	输入电容(Ciss)	1.6nF
	反向传输电容(Crss)	300pF
	工作温度	-55℃~+150℃
	输出电容(Coss)	350pF