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TK6A65D(STA4,X,M)
1个N沟道 耐压:650V 电流:9A
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- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(Ω) = 0.95Ω（典型值）。 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0S（典型值）。 低泄漏电流：IDSS = 10μA（最大值）(VDS = 650V)。 增强模式：Vth = 2.0 至 4.0V (VDS = 10V, ID = 1mA)
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK6A65D(STA4,X,M)
- 商品编号
- C2840181
- 商品封装
- SC-67-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 1.63克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 650V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 1.11Ω@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 45W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@1mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.05nF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 5pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 低漏源导通电阻：RDS(ON)=0.95 Ω (typ.)
- 高正向传输导纳：|Yfs| = 4.0 S (typ.)
- 低漏电流：IDSS = 10 μA (max) (VDS = 650 V)
- 增强模式：Vth = 2.0 to 4.0 V (VDS = 10 V, ID = 1 mA)
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