温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
TK10P60W,RVQ(S
耐压:600V 电流:9.7A
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.327 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10P60W,RVQ(S
- 商品编号
- C2840188
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
商品概述
TF040N03N将先进的沟槽MOSFET技术与低电阻封装相结合，可提供极低的漏源导通电阻（RDS(ON)）。该器件非常适合用于负载开关和电池保护应用。
商品特性
- 低漏源导通电阻:采用超级结结构DTMOS时,RDS(ON) = 0.327 Ω(典型值)
- 易于控制栅极开关
- 增强模式:Vth = 2.7至3.7 V(VDS = 10 V,ID = 0.5 mA)
应用领域
- 开关稳压器
其他推荐