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TK10P60W,RVQ(S
耐压:600V 电流:9.7A
- 描述
- 特性：低漏源导通电阻：RDS(ON) = 0.327 Ω（典型值），采用超级结结构DTMOS。 易于控制栅极开关。 增强模式：Vth = 2.7 至 3.7 V（VDS = 10 V，ID = 0.5 mA）。应用：开关稳压器
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TK10P60W,RVQ(S
- 商品编号
- C2840188
- 商品封装
- DPAK
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.395克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 9.7A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 430mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 80W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3.7V@0.5mA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 20nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 700pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.3pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 20pF |
交货周期
订货89-91个工作日购买数量
(2000个/圆盘，最小起订量 2000 个)个
起订量：2000 个2000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交2单
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