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TF7240
N沟道增强型MOSFET,电流:40A,耐压:40V
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- 品牌名称
- TF(拓锋)
- 商品型号
- TF7240
- 商品编号
- C2839914
- 商品封装
- PDFN-8(5.9x5.2)
- 包装方式
- 托盘
- 商品毛重
- 0.149克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 40V | |
| 连续漏极电流(Id) | 40A | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 5.5mΩ@10V,20A | |
| 功率 | 36.7W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1.4V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 35nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 2.2nF@20V | |
| 反向传输电容(Crss@Vds) | 73pF@20V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
40V/135A 导通电阻 RDS(ON) = 1.7 毫欧（典型值）时，栅极 - 源极电压 VGS = 10V 导通电阻 RDS(ON) = 2.3 毫欧（典型值）时，栅极 - 源极电压 VGS = 4.5V100% 经过雪崩测试
- 性能可靠且经久耐用
- 提供不含卤素的设备选择
商品特性
- 40V/135A
- 截止电阻 RDS(ON) = 1.7 毫欧（典型值），在栅极-源极电压 VGS 为 10V 时
- 截止电阻 RDS(ON) = 2.3 毫欧（典型值），在栅极-源极电压 VGS 为 4.5V 时
- 已通过 100%雪崩测试
- 可靠且耐用
- 无卤素器件可供选择
应用领域
- 切换应用程序
- 直流/直流电源管理
- 电池保护