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TIL113M

DC输入隔离电压(rms):4170V

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描述: 4N29M、4N30M、4N32M、4N33M、H11B1M 和 TIL113M 具有与硅外延平面光电达林顿进行光耦合的砷化镓红外发光二极管。
品牌名称: onsemi(安森美)
商品型号: TIL113M
商品编号: C29407
商品封装: DIP-6
包装方式: 管装
商品毛重: 0.893克(g)

商品参数

通道数：1
电压 - 隔离：4170Vrms
电流传输比（最小值）：300% @ 10mA
打开 / 关闭时间（典型值）：5μs，100μs（最大）
输入类型：DC
输出类型：有基极的达林顿晶体管
电压 - 输出（最大值）：30V
电流 - 输出/通道：150mA
电压 - 正向（Vf）（典型值）：1.2V
电流 - DC 正向（If）：80mA
Vce 饱和值（最大值）：1.25V
工作温度：-40°C ~ 100°C
安装类型：通孔
封装/外壳：6-DIP（0.300"，7.62mm）
供应商器件封装：6-DIP

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	属性	参数值
	商品目录	晶体管输出光耦
	输入类型	DC
	输出类型	达林顿晶体管
	正向压降(Vf)	1.2V
	输出电流	150mA
	隔离电压(Vrms)	4.17kV
	直流反向耐压(Vr)	3V
	负载电压	30V

	属性	参数值
	输出通道数	1
	集射极饱和电压(VCE(sat))	1.25V@2mA,8mA
	上升时间(tr)	-
	下降时间	-
	工作温度	-40℃~+100℃
	电流传输比(CTR)最小值	300%
	正向电流(If)	80mA