IRF7606TRPBF
1个P沟道 耐压:30V 电流:3.6A
- 描述
- 第五代HEXFET采用先进的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。全新的Micro8封装,其占位面积仅为标准SO - 8封装的一半,是SOIC外形中占位面积最小的封装
- 品牌名称
- Infineon(英飞凌)
- 商品型号
- IRF7606TRPBF
- 商品编号
- C2837684
- 商品封装
- Micro-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.116克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 3.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 90mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.8W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 30nC | |
| 输入电容(Ciss) | 520pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 140pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
交货周期
订货1-3个工作日购买数量
(4000个/圆盘,最小起订量 10 个)个
起订量:10 个4000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交1单
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