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IRF7606TRPBF

1个P沟道耐压:30V 电流:3.6A

描述: 第五代HEXFET采用先进的加工技术，以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势，再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计，为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件，可广泛应用于各种领域。全新的Micro8封装，其占位面积仅为标准SO - 8封装的一半，是SOIC外形中占位面积最小的封装
品牌名称: Infineon(英飞凌)
商品型号: IRF7606TRPBF
商品编号: C2837684
商品封装: Micro-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.116克(g)

商品参数

KNX3403B是一款采用KIA公司LVMosfet技术生产的N沟道增强型功率MOSFET场效应晶体管。经过改进的工艺和单元结构专门针对降低导通电阻、提供卓越的开关性能进行了优化。
85A、30V，RDS(on)典型值 = 4.5mΩ（典型值）@VGS = 10V
低栅极电荷
低Crss
快速开关
改善的dv/dt能力