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IRF7606TRPBF实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IRF7606TRPBF

1个P沟道 耐压:30V 电流:3.6A

描述
第五代HEXFET采用先进的加工技术,以实现单位硅片面积极低的导通电阻。这一优势,再结合HEXFET功率MOSFET闻名的快速开关速度和耐用的器件设计,为设计人员提供了一种极其高效可靠的器件,可广泛应用于各种领域。全新的Micro8封装,其占位面积仅为标准SO - 8封装的一半,是SOIC外形中占位面积最小的封装
商品型号
IRF7606TRPBF
商品编号
C2837684
商品封装
Micro-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.116克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)3.6A
导通电阻(RDS(on))90mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.8W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1V@250uA
栅极电荷量(Qg)30nC
输入电容(Ciss)520pF
反向传输电容(Crss)140pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF

交货周期

订货1-3个工作日

购买数量

(4000个/圆盘,最小起订量 10 个)
起订量:10 个4000个/圆盘

总价金额:

0.00

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