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NCE4801实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE4801

2个P沟道 耐压:30V 电流:5A

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描述
使用先进的沟槽技术,提供出色的导通电阻、低栅极电荷,可在低至2.5V的栅极电压下工作。适用于负载开关或PWM应用。
商品型号
NCE4801
商品编号
C2837474
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
0.2克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量2个P沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)5A
导通电阻(RDS(on))80mΩ@2.5V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.3V
栅极电荷量(Qg)8.5nC
输入电容(Ciss)880pF
反向传输电容(Crss)65pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

商品特性

  • VDS = -30 V,ID = -5 A
  • 当VGS = -2.5V时,RDS(ON) < 80 mΩ
  • 当VGS = -4.5V时,RDS(ON) < 57 mΩ
  • 当VGS = -10V时,RDS(ON) < 48 mΩ
  • 高功率和电流处理能力
  • 符合无铅产品要求
  • 表面贴装封装

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关

数据手册PDF