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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

NCE30H10AK

1个N沟道 耐压:30V 电流:100A

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描述
采用先进的沟槽技术和设计,提供出色的导通电阻和低栅极电荷,可用于多种应用。
商品型号
NCE30H10AK
商品编号
C2837475
商品封装
TO-252-2L​
包装方式
编带
商品毛重
0.522克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)100A
导通电阻(RDS(on))4.5mΩ@10V
耗散功率(Pd)110W
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))1.2V
栅极电荷量(Qg)70nC@15V
输入电容(Ciss)3.431nF
反向传输电容(Crss)401.7pF
工作温度-55℃~+175℃
类型N沟道

商品特性

  • 漏源电压VDS = 30V,漏极电流ID = 100A
  • 当栅源电压VGS = 10V时,导通电阻RDS(ON) < 4.5 mΩ(典型值:3.2 mΩ)
  • 当栅源电压VGS = 4.5V时,导通电阻RDS(ON) < 6.0 mΩ(典型值:4.0 mΩ)
  • 高密度单元设计,实现超低导通电阻Rdson
  • 具备全面表征的雪崩电压和电流
  • 高单脉冲雪崩能量EAS,稳定性和一致性良好
  • 采用散热性能出色的封装
  • 特殊工艺技术,具备高静电放电ESD能力

应用领域

-功率开关应用-硬开关和高频电路-不间断电源

数据手册PDF