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STF33N60M2
1个N沟道 耐压:600V 电流:26A
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- 描述
- N沟道600 V、0.108 Ohm典型值、26 A MDmesh M2功率MOSFET，TO-220FP封装
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- STF33N60M2
- 商品编号
- C2836687
- 商品封装
- TO-220FP
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 2.71175克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 600V | |
| 连续漏极电流(Id) | 26A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 125mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 35W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 45.5nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.781nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.5pF | |
| 工作温度 | -50℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 85pF |
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