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HG2269M/TR

12V~23V

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描述: HG2269是一款高度集成的电流模式PWM控制IC，针对高性能、低待机功耗和高性价比的离线反激式转换器应用进行了优化。正常工作时，PWM开关频率可通过外部编程设置，并可微调至较窄范围。在空载或轻载条件下，该IC以扩展“间歇模式”运行，以最大限度降低开关损耗，从而实现更低的待机功耗和更高的转换效率
品牌名称: HGSEMI(华冠)
商品型号: HG2269M/TR
商品编号: C2835204
商品封装: SOP-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.205克(g)

商品参数

	属性	参数值
	晶体管耐压	-
	拓扑结构	反激式
	功能特性	EMI优化(抖频模式)；消除音频噪音；轻载高效模式；前沿消隐；过热保护(OTP)；欠压锁定；欠压保护(UVP)；过压保护(OVP)；过流保护(OCP)；斜坡补偿
	工作温度	-20℃~+85℃
	工作模式	PWM 调制
	输出电压	-
	反馈方式	-

商品概述

HG2269集成了高度集成的电流模式PWM控制IC，针对高性能、低待机功耗和高性价比的离线反激式转换器应用进行了优化。正常工作时，PWM开关频率可通过外部编程设置，并可微调至较窄范围。在无负载或轻负载条件下，该IC以扩展“突发模式”运行，以最小化开关损耗，从而实现更低的待机功耗和更高的转换效率。 VDD低启动电流和低工作电流有助于HG2269实现可靠的上电启动和低待机设计。因此，可在启动电路中使用大阻值电阻，以最小化待机功耗。内部斜率补偿可提高系统大信号稳定性，并减少高PWM占空比输出时可能出现的次谐波振荡。电流检测输入的前沿消隐可消除由于缓冲电路二极管反向恢复引起的信号毛刺，这有助于减少应用中的外部元件数量和系统成本。HG2269提供全面的保护功能，并具有自动自恢复特性，包括逐周期电流限制（OCP）、过载保护（OLP）、VDD欠压锁定（UVLO）、过温保护（OTP）和过压保护（OVP）。栅极驱动输出钳位在18V，以保护功率MOSFET。在HG2269中，OCP阈值斜率经过内部优化，可在通用交流输入范围内实现恒定输出功率限制。通过内部频率抖动技术和图腾柱栅极驱动输出的软开关控制，可实现出色的EMI性能。该设计将22KHz以下的音调能量降至最低，并消除了音频噪声。HG2269提供SOP - 8、MSOP - 8和DIP - 8封装。

商品特性

扩展突发模式控制，提高效率并实现最低待机功耗设计
上电软启动，降低MOS应力
无音频噪声运行
外部可编程PWM开关频率
低VDD启动和工作电流
频率抖动，最小化EMI
电流检测前沿消隐
内部同步斜率补偿
低VIN/VDD启动电流（6.5uA）和低工作电流（2.0mA）
具备自动自恢复功能的全面保护覆盖 - 带迟滞的VDD欠压锁定（UVLO）
逐周期过流保护
过载保护（OLP）
过温保护（OTP）
VDD过压保护（OVP）
提供DIP - 8、SOP - 8、MSOP - 8封装

应用领域

离线AC/DC反激式转换器，用于：
AC/DC适配器
机顶盒电源
辅助电源
开放式开关电源
电池充电器

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	AC-DC控制器和稳压器
	是否隔离	隔离
	工作电压	12V~23V
	开关频率	60kHz~70kHz
	输出电流	-
	耗散功率(Pd)	-
	最大占空比	80%