温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
- 收藏
- 对比
IXTH11P50
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V,5.5A |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 4.7nF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
梯度价格
梯度
售价
折合1管
1+￥72.44
10+￥62.86
30+￥57.03￥1710.9
优惠活动
库存总量
(单位：个)广东仓
2
江苏仓
0
购买数量
(30个/管，最小起订量 1 个 )个
起订量：1 个30个/管
总价金额：
￥ 0.00近期成交12单
精选推荐
![WZ-100[800G]0.8mm](https://alimg.szlcsc.com/upload/public/product/breviary/20230204/F5C23B64924F8AED3185B6C36DF2894A.jpg)
咨询客服- 优惠券
- 芯媒体
- 建议反馈
- 投诉意见
- 收起