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IXFN132N50P3实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFN132N50P3

(一颗料配4个螺丝8个垫片) N沟道,电流:112A,耐压:500V

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFN132N50P3
商品编号
C2831647
商品封装
SOT-227B​
包装方式
管装
商品毛重
46.1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)500V
连续漏极电流(Id)112A
导通电阻(RDS(on))39mΩ@10V
耗散功率(Pd)1.5kW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))-
栅极电荷量(Qg)267nC@10V
输入电容(Ciss)18.6nF@25V
反向传输电容(Crss)12pF@25V
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道

商品概述

该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。

商品特性

  • 低漏源导通电阻(RDS(on))
  • 低栅极电荷(典型栅极电荷Qg = 33.2 nC)
  • 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
  • 符合RoHS标准

应用领域

-功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器

数据手册PDF