IXFN132N50P3
(一颗料配4个螺丝8个垫片) N沟道,电流:112A,耐压:500V
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXFN132N50P3
- 商品编号
- C2831647
- 商品封装
- SOT-227B
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 46.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 112A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 39mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5kW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | - | |
| 栅极电荷量(Qg) | 267nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 18.6nF@25V | |
| 反向传输电容(Crss) | 12pF@25V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
该功率MOSFET采用先进的平面垂直双扩散金属氧化物半导体(VDMOS)技术制造。由此生产的器件具有低导通电阻、卓越的开关性能和高雪崩能量。
商品特性
- 低漏源导通电阻(RDS(on))
- 低栅极电荷(典型栅极电荷Qg = 33.2 nC)
- 100%进行了非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
应用领域
-功率因数校正-开关模式电源-LED驱动器
