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IXTH11P50
1个P沟道 耐压:500V 电流:11A
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- 描述
- 特性：国际标准封装。 低RDS(on) HDMOST™工艺。 坚固的多晶硅栅单元结构。 非钳位电感开关（UIS）额定。 低封装电感。 易于驱动和保护。 易于安装。 节省空间。 高功率密度
- 品牌名称
- Littelfuse/IXYS
- 商品型号
- IXTH11P50
- 商品编号
- C2831642
- 商品封装
- TO-247-3
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 7.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 500V | |
| 连续漏极电流(Id) | 11A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 750mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 300W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 130nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 135pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 430pF |
商品特性
- 国际标准封装
- 低RDS(ON)HDMOSTTM 工艺
- 坚固的多晶硅栅单元结构
- 具备非箝位电感开关 (UIS) 额定值
- 低封装电感
- 易于驱动和保护
- 易于安装
- 节省空间
- 高功率密度
应用领域
- 电源适配器
- 电信和数据通信
- 汽车
- 伺服电机