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TPM2077
N沟道 耐压:20V 电流:0.95A
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- 描述
- 特性：RDS(on)典型值：200mΩ（VGS = 4.5V）。 RDS(on)典型值：250mΩ（VGS = 2.5V）。 获得无铅产品认证。 表面贴装封装。 低RDS(on)的N沟道开关。 可在低逻辑电平栅极驱动下工作。应用：负载/电源开关。 接口、逻辑开关
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- TPM2077
- 商品编号
- C2827705
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.032克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 950mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
WSD30L20DN33采用先进的沟槽技术，可提供出色的漏源导通电阻（RDS(ON)）、低栅极电荷，并能在低至4.5V的栅极电压下工作。该器件适用于电池保护或其他开关应用。
商品特性
- 高密度单元设计，实现超低漏源导通电阻（RDS(ON)）
- 雪崩电压和电流特性全面
- 高单脉冲雪崩能量（EAS），稳定性和一致性良好
- 封装散热性能出色
应用领域
-锂电池保护-无线冲击-手机快充
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