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RUM001L02-TP
N沟道MOSFET
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- 描述
- 这款增强型MOSFET,具备卓越的低导通电阻和快速开关性能，广泛应用于充电设备、电源管理及高效率电子系统中，提供高效稳定的功率转换与控制功能。
- 品牌名称
- TECH PUBLIC(台舟)
- 商品型号
- RUM001L02-TP
- 商品编号
- C2827706
- 商品封装
- SOT-723
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.011克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 950mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 480mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 1.15nC | |
| 输入电容(Ciss) | 50pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 8pF | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 13pF |
商品概述
GreenMOS高压MOSFET采用电荷平衡技术，实现出色的低导通电阻和较低的栅极电荷。其设计旨在最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能和强大的雪崩能力。 GreenMOS Z系列集成了快速恢复二极管（FRD），以最大限度地缩短反向恢复时间。它适用于谐振开关拓扑，以实现更高的效率、更高的可靠性和更小的外形尺寸。
商品特性
- 低漏源导通电阻（RDS(ON)）和品质因数（FOM）
- 极低的开关损耗
- 出色的稳定性和均匀性
- 超快且耐用的体二极管
应用领域
-电脑电源-电信电源-服务器电源-电动汽车充电器-电机驱动器