MX25L3235EZNI-10GTR

MX25L3235E 是一款 32Mb 串行闪存，内部配置为 4，194，304 x 8 结构。当它处于两线或四线模式时，其内部结构分别变为 16，777，216 x 2 位或 8，388，608 x 4 位。该存储器采用先进的 CMOS 浮栅工艺制造。串行闪存旨在为各种应用提供存储解决方案，其设计具有空间效率、内存灵活性和性能优势。串行闪存器件通过简单的串行接口进行编程和擦除，该接口需要最少的信号连接。该接口允许在空间受限的系统、需要随机内存访问的系统以及需要固件或数据现场更新的系统中进行简单的硬件布局。该器件支持标准串行外设接口（SPI）兼容模式 0 和模式 3。该器件支持单数据位宽度（标准 SPI）以及双数据位宽度（双输出 SPI）和四数据位宽度（四输出 SPI）的 SPI 命令，以实现更高的数据吞吐量性能。该器件支持高达 104MHz 的时钟频率，用于快速读取操作。该器件包含 1024 个可单独擦除的扇区，每个扇区 4K 字节。该器件还包含 128 个可单独擦除的块，每个块 32K 字节。该器件还包含 64 个可单独擦除的块，每个块 64K 字节。该器件提供深度掉电模式，可将功耗降至最低。该器件提供灵活的写保护方案，包括通过状态寄存器位（BP0、BP1、BP2、BP3）进行块保护，以及通过单独的块锁定寄存器进行灵活的块锁定。该器件还提供额外的安全 OTP 区域，用于存储标识符。该器件提供软件和硬件写保护机制。该器件提供软件复位功能。该器件支持串行闪存可发现参数（SFDP）读取模式。该器件采用 16 引脚 SOP（300mil）、8 引脚 SOP（200mil）和 8-WSON（6x5mm）封装。所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素。

• 支持串行外设接口——模式 0 和模式 3
• 33，554，432 x 1 位结构或 16，777，216 x 2 位（两线模式）结构或 8，388，608 x 4 位（四线模式）结构
• 1024 个等大小扇区，每个 4K 字节
• 任何扇区均可单独擦除
• 128 个等大小块，每个 32K 字节
• 任何块均可单独擦除
• 64 个等大小块，每个 64K 字节
• 任何块均可单独擦除
• 电源供电操作
• 读取、擦除和编程操作电压为 2.7 ~ 3.6V
• 闩锁保护能力达 100mA，电压范围从 -1V 至 Vcc +1V
• 高性能
• 正常读取频率 50MHz
• 快速读取频率：单线模式 104MHz（需 8 个虚拟周期）；双线模式 86MHz（2READ 指令需 4 个虚拟周期）；四线模式最高 104MHz
• 可配置四线读取操作的虚拟周期数
• 快速编程时间：每页（256 字节/页）0.7ms（典型值）和 3ms（最大值）
• 字节编程时间：12us（典型值）
• 连续编程模式（在字编程模式下自动递增地址）
• 快速擦除时间：每扇区（4K 字节/扇区）30ms（典型值）；每块（64K 字节/块）0.25s（典型值）；整片 10s（典型值）
• 低功耗
• 低活动读取电流：104MHz 时 19mA（最大值），33MHz 时 10mA（最大值）
• 低活动编程电流：15mA（典型值）
• 低活动扇区擦除电流：10mA（典型值）
• 低待机电流：15uA（典型值）
• 深度掉电电流：1uA（典型值）
• 典型擦除/编程循环次数 100，000 次
• 数据保持期 20 年
• 输入数据格式：1 字节命令码
• 高级安全特性：BP0-BP3 块组保护；当 OTP WPSEL=1 时灵活的单独块保护；额外的 4K 位安全 OTP 用于标识符
• 自动擦除和自动编程算法：自动擦除并验证选定扇区的数据；通过内部算法自动计时编程脉冲宽度，自动编程并验证选定页的数据（任何待编程页应首先处于擦除状态）
• 状态寄存器特性
• 电子识别：JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID；RES 命令用于读取 1 字节器件 ID；REMS、REMS2、REMS4 命令用于读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID
• 支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式
• SCLK 输入：串行时钟输入
• SI/SIO0：串行数据输入，或用于双线模式和四线模式的串行数据输入/输出
• SO/SIO1：串行数据输出，或用于双线模式和四线模式的串行数据输入/输出
• WP#/SIO2：硬件写保护，或用于四线模式的串行数据输入/输出
• HOLD#/SIO3：用于暂停器件而不取消选择器件，或用于四线模式的串行数据输入/输出
• 封装：16 引脚 SOP（300mil）；8 引脚 SOP（200mil）；8-WSON（6x5mm）
• 所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素