MX25U1635FM2I-10G
MX25U1635FM2I-10G
- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25U1635FM2I-10G
- 商品编号
- C2802873
- 商品封装
- SOIC-8-208mil
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 0.283克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 16Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 104MHz | |
| 工作电压 | 1.65V~2V | |
| 擦写寿命 | 100000次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 页写入时间(Tpp) | 1.2ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 250ms@(32KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 10年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护 |
商品概述
MX25U1635F是一款16777216位串行闪存,内部配置为2097152 x 8。当处于双I/O或四I/O读取模式时,结构变为8388608位 x 2或4194304位 x 4。MX25U1635F具有串行外设接口和软件保护功能。
商品特性
- 兼容串行外设接口——模式0和模式3
- 16777216 x 1位结构,或8388608 x 2位(双I/O读取模式)结构,或4194304 x 4位(四I/O读取模式)结构
- 每个扇区4K字节,或每个块32K字节,或每个块64K字节,任何块都可单独擦除
- 单电源操作
- 读取、擦除和编程操作电压为1.65 ~ 2.0伏
- 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁电流保护
- 低Vcc写入禁止电压范围为1.0V到1.4V
- 高性能
- SPI模式快速读取
- 单I/O:104MHz,8个空周期
- 双I/O:84MHz,4个空周期,相当于168MHz
- 四I/O:104MHz,2 + 4个空周期,相当于416MHz
- QPI模式快速读取
- 四I/O:84MHz,2 + 2个空周期,相当于336MHz
- 四I/O:104MHz,2 + 4个空周期,相当于416MHz
- 快速编程时间:每页1.2ms(典型值)和3ms(最大值)(每页256字节)
- 字节编程时间:12μs(典型值)
- 8/16/32/64字节环绕突发读取模式
- 快速擦除时间:每扇区60ms(典型值)(每扇区4K字节);每块250ms(典型值)(每块32K字节),每块500ms(典型值)(每块64K字节)
- 低功耗
- 低有源读取电流:104MHz时为20mA(典型值),84MHz时为15mA(典型值)
- 低有源擦除/编程电流:20mA(典型值)
- 待机电流:30μA(典型值)
- 深度掉电电流:5μA(典型值)
- 典型擦除/编程循环次数为100000次
- 数据保留时间为10年
- 软件特性
- 输入数据格式
- 1字节命令代码
- 高级安全特性
- 块锁定保护
- BP0 - BP3状态位定义了软件保护区域的大小,防止编程和擦除指令
- 额外的4k位安全OTP用于唯一标识符
- 自动擦除和自动编程算法
- 自动擦除并验证所选扇区或块的数据
- 通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据,该算法自动确定编程脉冲宽度(任何要编程的页面应首先处于擦除状态)
- 状态寄存器特性
- 命令复位
- 编程/擦除暂停
- 电子标识
- JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
- RES命令用于获取1字节设备ID
- REMS命令用于获取1字节制造商ID和1字节设备ID
- 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
- 硬件特性
- SCLK输入
- 串行时钟输入
- SI/SIO0
- 串行数据输入,或双I/O读取模式和四I/O读取模式下的串行数据输入/输出
- SO/SIO1
- 串行数据输出,或双I/O读取模式和四I/O读取模式下的串行数据输入/输出
- WP#/SIO2
- 硬件写保护,或四I/O读取模式下的串行数据输入/输出
- RESET#/SIO3
- 硬件复位引脚,或4 x I/O读取模式下的串行输入和输出
- 封装
- 8引脚SOP(200mil)
- 8焊盘WSON(6mm x 5mm)
- 8焊盘USON(4mm x 4mm)
- 所有器件均符合RoHS标准
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