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MX25U1635FM2I-10G实物图
  • MX25U1635FM2I-10G商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25U1635FM2I-10G

MX25U1635FM2I-10G

品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25U1635FM2I-10G
商品编号
C2802873
商品封装
SOIC-8-208mil​
包装方式
管装
商品毛重
0.283克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量16Mbit
时钟频率(fc)104MHz
工作电压1.65V~2V
擦写寿命100000次
属性参数值
页写入时间(Tpp)1.2ms
块擦除时间(tBE)250ms@(32KB)
数据保留 - TDR(年)10年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护

商品概述

MX25U1635F是一款16777216位串行闪存,内部配置为2097152 x 8。当处于双I/O或四I/O读取模式时,结构变为8388608位 x 2或4194304位 x 4。MX25U1635F具有串行外设接口和软件保护功能。

商品特性

  • 兼容串行外设接口——模式0和模式3
  • 16777216 x 1位结构,或8388608 x 2位(双I/O读取模式)结构,或4194304 x 4位(四I/O读取模式)结构
  • 每个扇区4K字节,或每个块32K字节,或每个块64K字节,任何块都可单独擦除
  • 单电源操作
  • 读取、擦除和编程操作电压为1.65 ~ 2.0伏
  • 从 -1V到Vcc +1V可承受100mA的闩锁电流保护
  • 低Vcc写入禁止电压范围为1.0V到1.4V
  • 高性能
  • SPI模式快速读取
  • 单I/O:104MHz,8个空周期
  • 双I/O:84MHz,4个空周期,相当于168MHz
  • 四I/O:104MHz,2 + 4个空周期,相当于416MHz
  • QPI模式快速读取
  • 四I/O:84MHz,2 + 2个空周期,相当于336MHz
  • 四I/O:104MHz,2 + 4个空周期,相当于416MHz
  • 快速编程时间:每页1.2ms(典型值)和3ms(最大值)(每页256字节)
  • 字节编程时间:12μs(典型值)
  • 8/16/32/64字节环绕突发读取模式
  • 快速擦除时间:每扇区60ms(典型值)(每扇区4K字节);每块250ms(典型值)(每块32K字节),每块500ms(典型值)(每块64K字节)
  • 低功耗
  • 低有源读取电流:104MHz时为20mA(典型值),84MHz时为15mA(典型值)
  • 低有源擦除/编程电流:20mA(典型值)
  • 待机电流:30μA(典型值)
  • 深度掉电电流:5μA(典型值)
  • 典型擦除/编程循环次数为100000次
  • 数据保留时间为10年
  • 软件特性
  • 输入数据格式
  • 1字节命令代码
  • 高级安全特性
  • 块锁定保护
  • BP0 - BP3状态位定义了软件保护区域的大小,防止编程和擦除指令
  • 额外的4k位安全OTP用于唯一标识符
  • 自动擦除和自动编程算法
  • 自动擦除并验证所选扇区或块的数据
  • 通过内部算法自动编程并验证所选页面的数据,该算法自动确定编程脉冲宽度(任何要编程的页面应首先处于擦除状态)
  • 状态寄存器特性
  • 命令复位
  • 编程/擦除暂停
  • 电子标识
  • JEDEC 1字节制造商ID和2字节设备ID
  • RES命令用于获取1字节设备ID
  • REMS命令用于获取1字节制造商ID和1字节设备ID
  • 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
  • 硬件特性
  • SCLK输入
  • 串行时钟输入
  • SI/SIO0
  • 串行数据输入,或双I/O读取模式和四I/O读取模式下的串行数据输入/输出
  • SO/SIO1
  • 串行数据输出,或双I/O读取模式和四I/O读取模式下的串行数据输入/输出
  • WP#/SIO2
  • 硬件写保护,或四I/O读取模式下的串行数据输入/输出
  • RESET#/SIO3
  • 硬件复位引脚,或4 x I/O读取模式下的串行输入和输出
  • 封装
  • 8引脚SOP(200mil)
  • 8焊盘WSON(6mm x 5mm)
  • 8焊盘USON(4mm x 4mm)
  • 所有器件均符合RoHS标准

数据手册PDF