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MX25U4033EM1I-12GTR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25U4033EM1I-12GTR

MX25U4033EM1I-12GTR

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品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25U4033EM1I-12GTR
商品编号
C2802893
商品封装
SOP-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量4Mbit
时钟频率(fc)80MHz
工作电压1.65V~2V
待机电流30uA
属性参数值
擦写寿命100000次
页写入时间(Tpp)3ms
块擦除时间(tBE)2s@(64KB)
数据保留 - TDR(年)20年
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

MX25U4033E是一款采用MXSMIO®(串行多I/O)技术的CMOS闪存存储器。它采用单电源供电,工作电压范围为1.65V至2.0V,适用于读取、擦除和编程操作。该器件支持串行外设接口的模式0和模式3。其存储容量为4M位,可配置为4,194,304×1位结构,或2,097,152×2位结构(双I/O读取模式),或1,048,576×4位结构(四I/O读取模式)。存储器组织为128个4K字节的扇区,每个扇区可单独擦除;16个32K字节的块,每个块可单独擦除;以及8个64K字节的块,每个块也可单独擦除。编程能力支持基于字节或基于页(256字节)的操作。该器件具有闩锁保护功能,可承受高达100mA的电流。

商品特性

  • 单电源操作
  • 读取、擦除和编程操作电压为1.65V至2.0V
  • 支持串行外设接口——模式0和模式3
  • 4M位:4,194,304×1位结构,或2,097,152×2位(双I/O读取模式)结构,或1,048,576×4位(四I/O读取模式)结构
  • 128个相等的扇区,每个4K字节
    • 每个扇区可单独擦除
  • 16个相等的块,每个32K字节
    • 每个块可单独擦除
  • 8个相等的块,每个64K字节
    • 每个块可单独擦除
  • 编程能力
    • 基于字节
    • 基于页(256字节)
    • 闩锁保护能力达100mA

数据手册PDF