MX25U6435FZNI-10GTR

该产品是一款1.8V 64M位[x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO（串行多I/O）闪存，采用串行外设接口，支持模式0和模式3。其结构为67，108，864 x 1位，或33，554，432 x 2位（双I/O模式），或16，777，216 x 4位（四I/O模式）。存储器组织为每个4K字节的等大小扇区，或每个32K字节的等大小块，或每个64K字节的等大小块，每个块均可独立擦除。采用单电源供电，读取、擦除和编程操作电压范围为1.65~2.0伏。具有抗闩锁保护能力，在-1V至Vcc+1V范围内可承受100mA电流。低Vcc写入禁止电压范围为1.0V~1.4V。

• 支持串行外设接口——模式0和模式3
• 结构为67，108，864 x 1位，或33，554，432 x 2位（双I/O模式），或16，777，216 x 4位（四I/O模式）
• 等大小扇区（每个4K字节），或等大小块（每个32K字节或64K字节）——任何块均可独立擦除
• 单电源供电操作
• 读取、擦除和编程操作电压为1.65~2.0伏
• 在-1V至Vcc+1V范围内具有100mA抗闩锁保护
• 低Vcc写入禁止电压为1.0V~1.4V
• 高性能：SPI模式快速读取——1 I/O：104MHz（带8个空周期）；2 I/O：84MHz（带4个空周期，等效于168MHz）；4 I/O：104MHz（带2+4个空周期，等效于416MHz）
• 高性能：QPI模式快速读取——4 I/O：84MHz（带2+2个空周期，等效于336MHz）；4 I/O：104MHz（带2+4个空周期，等效于416MHz）
• 快速编程时间：0.5ms（典型值）和3ms（最大值）/页（每页256字节）
• 字节编程时间：12us（典型值）
• 支持8/16/32/64字节环绕突发读取模式
• 快速擦除时间：35ms（典型值）/扇区（每扇区4K字节）；200ms（典型值）/块（每块32K字节）；350ms（典型值）/块（每块64K字节）
• 低功耗：低活动读取电流——20mA（典型值）@104MHz，15mA（典型值）@84MHz
• 低功耗：低活动擦除电流——18mA（典型值）@扇区擦除、块擦除（32KB/64KB）；20mA @芯片擦除
• 低功耗：低活动编程电流——20mA（典型值）
• 待机电流：15uA（典型值）
• 深度掉电电流：1.5uA（典型值）
• 典型100，000次擦除/编程周期
• 20年数据保存期
• 软件特性：输入数据格式为1字节命令码
• 高级安全特性：块锁定保护——BP0-BP3状态位定义软件保护区域大小，防止编程和擦除指令
• 高级安全特性：额外的4k位安全一次性可编程存储器，用于标识符
• 自动擦除和自动编程算法：自动擦除并验证选定扇区或块的数据；通过内部算法自动编程并验证选定页的数据，该算法自动计时编程脉冲宽度（任何待编程页应首先处于擦除状态）
• 状态寄存器特性
• 命令复位
• 编程/擦除挂起
• 电子识别：JEDEC 1字节制造商ID和2字节器件ID；RES命令用于1字节器件ID；REMS命令用于1字节制造商ID和1字节器件ID
• 支持串行闪存可发现参数模式
• 硬件特性：SCLK输入——串行时钟输入
• 硬件特性：SI/SIO0——串行数据输入，或用于2×I/O读取模式和4×I/O读取模式的串行数据输入/输出
• 硬件特性：SO/SIO1——串行数据输出，或用于2×I/O读取模式和4×I/O读取模式的串行数据输入/输出
• 硬件特性：WP#/SIO2——硬件写保护，或用于4×I/O读取模式的串行数据输入/输出
• 硬件特性：RESET#/SIO3——硬件复位引脚，或用于4×I/O读取模式的串行输入和输出
• 封装：8引脚SOP（200mil）；8焊盘WSON（6×5mm）；12球WLCSP（球直径0.30mm）
• 所有器件均符合RoHS标准且无卤