MX25R8035FM1IH1TR

MX25R8035F是一款超低功耗、8M位 [x 1/x 2/x 4] CMOS MXSMIO®（串行多I/O）闪存。它支持串行外设接口的模式0和模式3，有8,388,608 x 1位、4,194,304 x 2位（双I/O模式）或2,097,152 x 4位（四I/O模式）的结构，具有等大小的4K字节扇区或32K/64K字节块，任何块都可单独擦除。采用单电源供电，读写和擦除操作的工作电压为1.65V - 3.6V，具有闩锁保护。该闪存性能高，读取速度快，编程和擦除时间短，功耗超低，最少有100,000次擦除/编程循环，数据可保存20年。具备先进的安全特性、自动擦除和编程算法、状态寄存器功能、命令复位、编程/擦除暂停和恢复功能、电子识别功能，支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式和唯一ID。

• 支持串行外设接口（SPI）模式0和模式3。
• 存储结构：8,388,608 x 1位、4,194,304 x 2位（双I/O模式）或2,097,152 x 4位（四I/O模式）。
• 扇区大小4K字节，块大小32K/64K字节，可单独擦除。
• 单电源操作，电压范围1.65V-3.6V。
• 锁存保护：100mA，从-1V到Vcc+1V。
• 高性能：快速读取，1 I/O 108MHz（8虚拟周期），2 I/O 104MHz（4虚拟周期，等效208MHz），4 I/O 104MHz（2+4虚拟周期，等效416MHz）。
• 快速编程和擦除时间。
• 8/16/32/64字节环绕突发读取模式。
• 超低功耗。
• 最小100,000次擦除/编程周期，20年数据保留。
• 输入数据格式，1字节命令代码。
• 高级安全特性：块锁保护、8K位安全OTP、标识符。
• 自动擦除和编程算法，自动验证数据。
• 状态寄存器特性，命令复位。
• 编程/擦除暂停和恢复功能。
• 电子识别：JEDEC制造商ID和设备ID，RES和REMS命令。
• 支持串行闪存可发现参数（SFDP）模式。
• 支持ID。
• 硬件特性：SCLK输入，串行时钟输入。