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MX25R6435FBDIL0TR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25R6435FBDIL0TR

MX25R6435FBDIL0TR

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品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25R6435FBDIL0TR
商品编号
C2802841
商品封装
WLCSP-22​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
属性参数值
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

MX25R6435F是一款64Mb(位)容量的超低功耗CMOS MXSMIO®(串行多I/O)闪存存储器,采用串行外设接口(SPI),支持模式0和模式3。其存储阵列可配置为67,108,864×1位,或33,554,432×2位(双I/O模式),或16,777,216×4位(四I/O模式)。该器件包含多个均匀的扇区(每个4K字节)和块(每个32K/64K字节),支持对任意块进行独立擦除。它采用单电源供电,读、擦除和编程操作的工作电压范围为1.65V~3.6V。器件具备锁存保护功能,在-1V至Vcc+1V范围内可承受100 mA的电流。

商品特性

  • 超低功耗模式与高性能模式
  • 读、擦除和编程操作的宽电源电压范围:1.65V~3.6V
  • 支持ID和安全OTP
  • 支持单I/O、双I/O和四I/O多路I/O
  • 支持编程挂起/恢复与擦除挂起/恢复
  • 支持串行外设接口(SPI)模式0和模式3
  • 存储结构:67,108,864×1位,或33,554,432×2位,或16,777,216×4位
  • 均匀扇区(每个4K字节)和块(每个32K/64K字节),可独立擦除任意块
  • 单电源操作
  • 锁存保护:在-1V至Vcc+1V范围内可达100 mA
  • 高性能:快速读取(1 I/O:80MHz,8个虚拟周期;2 I/O:80MHz,4个虚拟周期,等效160MHz;4 I/O:80MHz,2+4个虚拟周期,等效320MHz)、快速编程和擦除时间
  • 支持8/16/32/64字节环绕突发读取模式
  • 支持性能增强模式 - XIP(就地执行)
  • 超低功耗
  • 最小100,000次擦除/编程周期,20年数据保持
  • 软件特性:1字节命令码输入数据格式
  • 高级安全特性:块锁定保护(BP0-BP3状态位定义受软件保护区域大小,防止编程和擦除指令)
  • 额外的8K位安全OTP,具备标识符,出厂锁定可识别且客户可锁定
  • 自动擦除和自动编程算法:自动擦除并验证选定扇区或块的数据;通过内部算法自动编程并验证选定页的数据,该算法自动计时编程脉冲宽度(任何待编程页需先处于擦除状态)
  • 状态寄存器功能
  • 命令复位
  • 编程/擦除挂起与编程/擦除恢复
  • 电子识别:符合JEDEC标准的1字节制造商ID和2字节器件ID;RES命令用于读取1字节器件ID;REMS命令用于读取1字节制造商ID和1字节器件ID
  • 支持串行闪存可发现参数(SFDP)模式
  • 支持ID(请联系当地Macronix销售获取详细信息)
  • 硬件特性:串行时钟输入(SCLK);串行数据输入或用于2×I/O和4×I/O读取模式的串行数据输入/输出(SI/SIO0);串行数据输出或用于2×I/O和4×I/O读取模式的串行数据输入/输出(SO/SIO1);硬件写保护或用于4×I/O读取模式的串行数据输入/输出(WP#/SIO2);硬件复位引脚或用于4×I/O读取模式的串行输入输出,或HOLD功能(用于暂停器件而不取消选择器件),或用于4×I/O读取模式的串行输入输出(RESET#/SIO3或HOLD#/SIO3,具体取决于型号选项)
  • 封装:8引脚SOP(200mil)、8焊盘WSON(6×5mm)、8焊盘USON(4×4mm)、8焊盘USON(4×3mm)、22焊球WLCSP(3-2-3焊球阵列)
  • 所有器件均符合RoHS标准且无卤素

数据手册PDF