MX25L6473EBBI-10GTR

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品牌名称: MXIC(旺宏电子)
商品型号: MX25L6473EBBI-10GTR
商品编号: C2802798
商品封装: WLCSP-12
包装方式: 编带
商品毛重: 1克(g)

商品参数

商品概述

MX25L6473E 是一款 3V、64M 位 CMOS MXSMIO® 串行多 I/O 闪存存储器，支持 x1、x2 和 x4 配置。它支持串行外设接口——模式0和模式3。存储器组织为 67,108,864 x 1 位、33,554,432 x 2 位或 16,777,216 x 4 位结构，包含 2048 个容量均为 4K 字节的扇区，每个扇区均可单独擦除；256 个容量均为 32K 字节的块，每个块均可单独擦除；以及 128 个容量均为 64K 字节的块，每个块均可单独擦除。其工作电压范围为 2.7~3.6V，适用于读取、擦除和编程操作。器件具有锁存保护功能，在 -1V 至 Vcc+1V 范围内可承受 100 mA 电流。其 QE 位永久固定为 1，并启用了 4 I/O 模式。性能方面，在 VCC = 2.7~3.6V 条件下，支持高达 50MHz 的常规读取速度；快速读取时，1 I/O 模式在 8 个虚拟周期下可达 104MHz，2 I/O 模式在 4 个虚拟周期下可达 86MHz，4 I/O 模式最高可达 104MHz，且 4 I/O 读取操作的虚拟周期数可配置。编程速度快，典型页编程时间为 0.7ms，最大为 3ms/页；典型字节编程时间为 12us；支持连续编程模式；擦除速度快，典型扇区擦除时间为 30ms/扇区，典型块擦除时间为 0.25s/块，典型芯片擦除时间为 20s。功耗低，在 104MHz 下最大读取电流为 19mA，在 33MHz 下最大读取电流为 10mA；典型编程电流为 15mA；典型扇区擦除电流为 10mA；典型待机电流为 15 μA；典型深度掉电电流为 1uA。典型擦除/编程循环次数为 100,000 次，数据保存期限为 20 年。软件特性包括：输入数据格式为 1 字节命令码；高级安全特性，支持 BP0-BP3 块组保护，当 OTP WPSEL=1 时支持灵活的独立块保护，提供额外的 4K 位安全 OTP 用于标识符；自动擦除和自动编程算法，可自动擦除并验证选定扇区的数据，通过内部算法自动计时编程脉冲宽度，对选定页进行自动编程和验证；状态寄存器功能；电子识别，支持 JEDEC 1 字节制造商 ID 和 2 字节器件 ID，RES 命令用于读取 1 字节器件 ID，REMS、REMS2、REMS4 命令用于读取 1 字节制造商 ID 和 1 字节器件 ID；支持串行闪存可发现参数模式。硬件特性包括：SCLK 串行时钟输入；SI/SIO0 串行数据输入或用于 2×I/O 和 4×I/O 模式的串行数据输入/输出；SO/SIO1 串行数据输出或用于 2×I/O 和 4×I/O 模式的串行数据输入/输出；SIO2 用于 4×I/O 模式的串行数据输入/输出；SIO3 用于 4×I/O 模式的串行数据输入/输出。封装选项包括 16 引脚 SOP、8 引脚 SOP、8 引脚 VSOP、8 引脚 WSON 和 12 焊球 WLCSP。所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素。

商品特性

支持多 I/O 接口——单 I/O、双 I/O 和四 I/O
自动擦除和自动编程算法
连续编程模式
QE 位永久固定为 1，并启用了 4 I/O 模式
支持串行外设接口——模式0和模式3
存储器结构为 67,108,864 x 1 位、33,554,432 x 2 位或 16,777,216 x 4 位
包含 2048 个容量均为 4K 字节的扇区，每个扇区均可单独擦除
包含 256 个容量均为 32K 字节的块，每个块均可单独擦除
包含 128 个容量均为 64K 字节的块，每个块均可单独擦除
工作电压范围为 2.7~3.6V，适用于读取、擦除和编程操作
具有锁存保护功能，在 -1V 至 Vcc+1V 范围内可承受 100 mA 电流
QE 位永久固定为 1，并启用了 4 I/O 模式
常规读取速度高达 50MHz
快速读取速度：1 I/O 模式在 8 个虚拟周期下可达 104MHz；2 I/O 模式在 4 个虚拟周期下可达 86MHz；4 I/O 模式最高可达 104MHz
4 I/O 读取操作的虚拟周期数可配置
快速编程时间：典型页编程时间为 0.7ms，最大为 3ms/页
典型字节编程时间为 12us
支持连续编程模式
快速擦除时间：典型扇区擦除时间为 30ms/扇区；典型块擦除时间为 0.25s/块；典型芯片擦除时间为 20s
低功耗：在 104MHz 下最大读取电流为 19mA，在 33MHz 下最大读取电流为 10mA；典型编程电流为 15mA；典型扇区擦除电流为 10mA；典型待机电流为 15 μA；典型深度掉电电流为 1uA
典型擦除/编程循环次数为 100,000 次
数据保存期限为 20 年
输入数据格式为 1 字节命令码
高级安全特性，支持 BP0-BP3 块组保护，当 OTP WPSEL=1 时支持灵活的独立块保护
提供额外的 4K 位安全 OTP 用于标识符
自动擦除和自动编程算法
状态寄存器功能
电子识别功能
支持串行闪存可发现参数模式
SCLK 串行时钟输入
SI/SIO0 串行数据输入或串行数据输入/输出
SO/SIO1 串行数据输出或串行数据输入/输出
SIO2 串行数据输入/输出
SIO3 串行数据输入/输出
提供多种封装选项：16 引脚 SOP、8 引脚 SOP、8 引脚 VSOP、8 引脚 WSON、12 焊球 WLCSP
所有器件均符合 RoHS 标准且无卤素

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	NOR FLASH
	接口类型	SPI
	存储容量	64Mbit
	时钟频率(fc)	104MHz
	工作电压	2.7V~3.6V
	待机电流	15uA
	擦写寿命	100000次

	属性	参数值
	写周期时间(Tw)	-
	页写入时间(Tpp)	3ms
	块擦除时间(tBE)	400ms@(64KB)
	数据保留 - TDR(年)	20年
	工作温度	-
	功能特性	绝对写保护；写使能锁存；软件写保护