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MX25R2035FZUIL0TR引脚图
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  • 焊盘图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

MX25R2035FZUIL0TR

MX25R2035FZUIL0TR

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品牌名称
MXIC(旺宏电子)
商品型号
MX25R2035FZUIL0TR
商品编号
C2802821
商品封装
USON-8(3x2)​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录NOR FLASH
接口类型SPI
存储容量2Mbit
时钟频率(fc)108MHz
工作电压1.65V~3.6V
属性参数值
待机电流5uA
擦写寿命100000次
数据保留 - TDR(年)20年
工作温度-40℃~+85℃
功能特性硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位

商品概述

MX25R2035F是一款2Mb串行NOR闪存,内部配置为262,144×8。在四I/O模式下,其结构为524,288×4位。该存储器采用MXSMIO®(串行多I/O)架构,支持单I/O、双I/O和四I/O操作,提供超低功耗模式和高性能模式。其工作电压范围宽,为1.65V-3.6V,适用于读取、擦除和编程操作。器件支持ID和安全OTP,具备程序/擦除挂起与恢复功能。它采用串行外设接口,支持模式0和模式3,具有快速读取、编程和擦除时间,以及8/16/32/64字节环绕突发读取模式。其功耗极低,擦除/编程周期最小为100,000次,数据保存期限达20年。软件功能包括块锁保护、状态寄存器、命令复位和电子识别。硬件特性包括串行时钟输入、数据输入/输出引脚、硬件写保护/复位/保持功能引脚,并提供多种封装选项。

商品特性

  • 超低功耗模式和高性能模式
  • 宽工作电压范围:1.65V-3.6V,适用于读取、擦除和编程操作
  • 支持ID和安全OTP
  • 支持多I/O操作:单I/O、双I/O和四I/O
  • 支持程序/擦除挂起与恢复功能
  • 支持串行外设接口:模式0和模式3
  • 内部结构为262,144×8位(四I/O模式下为524,288×4位)
  • 扇区大小均为4K字节,块大小均为32K/64K字节,每个块可单独擦除
  • 单电源操作
  • 闭锁保护电流达100mA,电压范围为-1V至Vcc+1V
  • 快速读取:单I/O模式108MHz(8个虚拟周期),双I/O模式104MHz(4个虚拟周期,等效208MHz),四I/O模式104MHz(2+4个虚拟周期,等效416MHz)
  • 快速编程和擦除时间
  • 8/16/32/64字节环绕突发读取模式
  • 最小100,000次擦除/编程周期
  • 20年数据保存期限
  • 输入数据格式为1字节命令码
  • 高级安全特性,包括块锁保护
  • BP0-BP3状态位定义受软件保护以防编程和擦除指令的区域大小
  • 额外的8K位安全OTP,具有标识符,出厂锁定可识别,客户可锁定
  • 自动擦除和自动编程算法
  • 状态寄存器功能
  • 命令复位
  • 电子识别:符合JEDEC标准的1字节制造商ID和2字节器件ID
  • 支持串行闪存可发现参数模式
  • 支持ID
  • 串行时钟输入
  • 多种封装选项:8引脚SOP、8引脚TSSOP、8焊盘WSON、8焊盘USON、8焊球WLCSP
  • 所有器件均符合RoHS标准且无卤

应用领域

  • 可穿戴设备
  • 物联网模块
  • 便携式医疗设备
  • 手持式消费电子产品
  • 工业传感器

数据手册PDF