MX25L8006EZNI-12GTR
MX25L8006EZNI-12GTR
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- 品牌名称
- MXIC(旺宏电子)
- 商品型号
- MX25L8006EZNI-12GTR
- 商品编号
- C2802806
- 商品封装
- WSON-8(6x5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | NOR FLASH | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Mbit | |
| 时钟频率(fc) | 86MHz | |
| 工作电压 | 2.7V~3.6V | |
| 待机电流 | 25uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 擦写寿命 | 100000次 | |
| 页写入时间(Tpp) | 3ms | |
| 块擦除时间(tBE) | 2s@(64KB) | |
| 数据保留 - TDR(年) | 20年 | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 功能特性 | 硬件写保护;绝对写保护;写使能锁存;软件写保护;上电复位 |
商品概述
该器件是一款采用CMOS工艺的3V、8M位串行闪存,支持x1或x2位宽结构。它采用单电源供电,工作电压范围为2.7V至3.6V,适用于读取、擦除和编程操作。器件支持串行外设接口的模式0和模式3。存储器组织为8,388,608 x 1位或4,194,304 x 2位结构,包含256个大小为4K字节的等分扇区,每个扇区均可独立擦除。同时,存储器也划分为16个大小为64K字节的等分块,每个块均可独立擦除。编程功能支持基于字节和基于页的操作。器件具有闩锁保护能力。性能方面,提供高速访问时间,支持86MHz串行时钟,在双输出模式下支持80MHz串行时钟。编程速度快,典型页编程时间为0.6ms,最大为3ms/页;典型字节编程时间为9us。擦除速度快,典型扇区擦除时间为40ms,典型块擦除时间为0.4s。功耗低,在86MHz频率下最大读取电流为12mA,典型编程电流为15mA,典型扇区/块擦除电流为9mA,典型待机电流为15uA,典型深度掉电模式电流为2uA。典型擦除/编程循环次数为100,000次,数据保存期限为20年。软件特性包括:1字节命令码格式;高级安全特性,如通过BP2-BP0状态位定义的块锁保护,可软件保护指定区域免受编程和擦除指令影响,以及额外的512位安全一次性编程区用于标识符;自动擦除和自动编程算法,可自动擦除并验证选定扇区,自动编程并验证选定页;状态寄存器功能;电子识别功能,支持JEDEC标准的1字节制造商ID和2字节器件ID,RES命令读取1字节器件ID,REMS命令读取1字节制造商ID和1字节器件ID;支持串行闪存可发现参数模式。硬件特性提供多种封装选项。
商品特性
- 保持功能
- 低功耗
- 自动擦除和自动编程算法
- 额外的512位安全一次性编程区,用于标识符
- 单电源供电操作
- 支持串行外设接口——模式0和模式3
- 256个等分扇区,每个4K字节
- 任何扇区均可单独擦除
- 16个等分块,每个64K字节
- 任何块均可单独擦除
- 编程能力:基于字节和基于页
- 闩锁保护:从-1V至Vcc+1V,电流达100mA
- 高性能:快速访问时间,86MHz串行时钟;双输出模式串行时钟:80MHz
- 快速编程时间:典型0.6ms,最大3ms/页;典型字节编程时间9us
- 快速擦除时间:典型40ms/扇区;典型0.4s/块
- 低功耗:最大读取电流12mA @ 86MHz;典型编程电流15mA;典型扇区/块擦除电流9mA;典型待机电流15uA;典型深度掉电模式电流2uA
- 典型100,000次擦除/编程循环
- 20年数据保存期限
- 输入数据格式:1字节命令码
- 高级安全特性:块锁保护;额外的512位安全一次性编程区用于标识符
- 自动擦除和自动编程算法
- 状态寄存器功能
- 电子识别:JEDEC 1字节制造商ID和2字节器件ID;RES命令用于1字节器件ID;REMS命令用于1字节制造商ID和1字节器件ID
- 支持串行闪存可发现参数模式
- 封装:8引脚SOP;8引脚PDIP;8焊盘WSON;8焊盘USON
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