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BFU520YX
双NPN宽带硅射频晶体管，低噪声、高击穿，通过AEC - Q101认证
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- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- BFU520YX
- 商品编号
- C2802649
- 商品封装
- SOT-363-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.04克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 30mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 60 | |
| 特征频率(fT) | 10GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 3V | |
| 数量 | 2个NPN | |
| 配置 | 独立式 |
商品概述
这是一款采用塑料6引脚SOT363封装的双NPN硅RF晶体管，适用于高速低噪声应用。BFU520Y属于BFU5晶体管系列，适用于最高2 GHz的小信号至中等功率应用。
商品特性
- 低噪声高击穿RF晶体管
- AEC-Q101 认证
- 采用11 GHz fT硅技术
应用领域
- 需要高电源电压和高击穿电压的应用
- 最高2 GHz的宽带差分放大器
- ISM应用的低噪声放大器
- ISM波段振荡器