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BFU550XAR
NPN 电流:50mA 电压:12V
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- 描述
- NPN硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SCT143B封装，适用于高速、低噪声应用。适用于高达2 GHz的小信号到中功率应用。
- 品牌名称
- NXP(恩智浦)
- 商品型号
- BFU550XAR
- 商品编号
- C2802650
- 商品封装
- SOT-143-4
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 50mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 450mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 95 | |
| 特征频率(fT) | 11GHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 1nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | - | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 2V | |
| 数量 | 1个NPN | |
| 配置 | 独立式 |
商品概述
BFU550X属于BFU5系列晶体管，是一款用于高速低噪声场景的NPN型硅射频晶体管，采用塑料4引脚双发射极SOT143B封装，适用于小信号到中等功率应用，工作频率最高可达2 GHz，环境温度为25℃除非另有说明
商品特性
- 低噪声高击穿射频晶体管
- 通过AEC-Q101认证
- 900 MHz下最小噪声系数为0.75 dB
- 900 MHz下最大稳定增益为21.5 dB
- 采用特征频率11 GHz的硅工艺技术
- 焊点温度与环境温度的关系为Tsp = Tamb + P × Rth(sp-a)，其中P为功耗，Rth(sp-a)为焊点与环境之间的热阻，热阻由应用场景的传热特性决定，传热特性受应用板材料、电路板布局和使用环境影响
应用领域
- 需要高电源电压和高击穿电压的应用
- 最高工作频率可达2 GHz的宽带放大器
- ISM领域应用的低噪声放大器
- ISM频段振荡器