LKS513
驱动芯片
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- 描述
- LKS513是一款用于功率P沟道/N沟道MOSFET的三相40V高速半桥预驱动器。它有两个用于高端和低端的输入,且每个通道有两个输出,内部设有死区时间以避免交叉导通。输入逻辑电平与3.3V/5V/15V信号兼容
- 品牌名称
- LINKOSEMI(凌鸥创芯)
- 商品型号
- LKS513
- 商品编号
- C2798402
- 商品封装
- ESOP-16
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.24克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 半桥 | |
| 负载类型 | MOSFET | |
| 工作电压 | 8V~28V | |
| 下降时间(tf) | 300ns |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 传播延迟 tpLH | 80ns | |
| 传播延迟 tpHL | 30ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP);过热保护(OPT) | |
| 工作温度 | -40℃~+105℃ | |
| 静态电流(Iq) | 500uA |
商品概述
LKS513是一款用于功率P/N MOSFET的三相40V高速半桥预驱动器。它有用于高端和低端的两个输入,且每个通道有两个输出,并具备内部死区时间以避免交叉导通。 输入逻辑电平与3.3V/5V/15V信号兼容。可为PMOS和NMOS输出10V栅极电压。 它还内置了一个用于MCU或其他设备供电的5V/30mA LDO,并具备热关断保护功能以确保安全。
商品特性
- 用于P/N MOS半桥的三相输出
- 工作电源范围为8V至28V
- 高端和低端独立输入
- 当VCC > 10V时,可为PMOS和NMOS输出10V的VGS
- 兼容3.3V、5V和15V输入逻辑
- 内置5V/30mA LDO
- 内置死区时间
- 内置热关断保护(TSD)
- 采用ESOP16封装
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
¥ 0.00近期成交14单

