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LKS563
驱动芯片
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- 描述
- LKS563 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成式全桥驱动芯片，芯片具有高侧驱动输出和低侧驱动输出各三组，可同时驱动六个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。最低输入电平可到3.3V。
- 品牌名称
- LINKOSEMI(凌鸥创芯)
- 商品型号
- LKS563
- 商品编号
- C2798406
- 商品封装
- TSSOP-20
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.209725克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 栅极驱动芯片 | |
| 驱动配置 | 全桥 | |
| 负载类型 | MOSFET；IGBT | |
| 灌电流(IOL) | 1.1A | |
| 拉电流(IOH) | 1.1A | |
| 工作电压 | 8V~20V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 上升时间(tr) | 20ns | |
| 下降时间(tf) | 30ns | |
| 特性 | 欠压保护(UVP) | |
| 工作温度 | -40℃~+150℃ | |
| 静态电流(Iq) | 43uA |
商品概述
LKS563 是一款用于驱动MOS/IGBT 栅极的集成式全桥驱动芯片，芯片具有高侧驱动输出和低侧驱动输出各三组，可同时驱动六个MOS/IGBT 器件，其中高侧器件通过浮动管脚实现电压抬升，最高耐压达 +300V。输入信号可兼容CMOS 和LSTTL 电平。最低输入电平可到3.3V
商品特性
- 高侧驱动采用浮动电源设计，最高耐压 +300V
- 可承受瞬时负压
- 芯片电源供电范围 8~20V
- 三组输出信号
- 欠压保护功能
- 输入电平3.3/5/15V 兼容
- 双通道延时匹配
优惠活动
购买数量
(4000个/圆盘，最小起订量 5 个)个
起订量：5 个4000个/圆盘
总价金额：
￥ 0.00近期成交34单
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