立创商城logo
购物车0
IQDH45N04LM6ATMA1实物图
  • IQDH45N04LM6ATMA1商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IQDH45N04LM6ATMA1

N沟道、逻辑电平、低导通电阻、热阻优越的MOSFET功率晶体管

商品型号
IQDH45N04LM6ATMA1
商品编号
C27531322
商品封装
SON-8​
包装方式
编带
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)637A
导通电阻(RDS(on))0.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)333W
阈值电压(Vgs(th))1.6V
栅极电荷量(Qg)62nC
属性参数值
输入电容(Ciss)9nF
反向传输电容(Crss)68pF
工作温度-55℃~+175℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)2.9nF
栅极电压(Vgs)±20V

商品特性

  • N沟道,逻辑电平
  • 极低导通电阻RDS(on)
  • 卓越的热阻
  • 100%雪崩测试
  • 无铅镀层,符合RoHS标准
  • 根据IEC61249 - 2 - 21标准无卤

数据手册PDF