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IXFP14N85XM实物图
  • IXFP14N85XM商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFP14N85XM

N沟道增强型850V功率MOSFET,具有低导通电阻和低封装电感,适用于开关模式和共振模式电源等

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品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFP14N85XM
商品编号
C27531828
商品封装
TO-220​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个N沟道
漏源电压(Vdss)850V
连续漏极电流(Id)-
导通电阻(RDS(on))550mΩ@10V
耗散功率(Pd)38W
阈值电压(Vgs(th))3.5V
栅极电荷量(Qg)30nC
属性参数值
输入电容(Ciss)1.043nF
反向传输电容(Crss)17pF
工作温度-55℃~+150℃
配置-
类型N沟道
输出电容(Coss)1.11nF
栅极电压(Vgs)±30V

商品概述

GT070N15M采用先进的沟槽技术,可提供出色的导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷。它可用于多种应用。

商品特性

  • 国际标准封装
  • 塑料包覆式引脚
  • 低导通电阻RDS(ON)和低栅极电荷QG
  • 雪崩额定
  • 2500V电气隔离
  • 低封装电感
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • PFC电路
  • 交流和直流电机驱动器
  • 机器人和伺服控制

数据手册PDF