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IXFX24N100Q3实物图
  • IXFX24N100Q3商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

IXFX24N100Q3

1000V N沟道增强型功率MOSFET

描述
特性:低本征栅极电阻。低封装电感。快速本征整流器。低RDS(on)和QG。高功率密度。易于安装。应用:DC-DC转换器。电池充电器
品牌名称
Littelfuse/IXYS
商品型号
IXFX24N100Q3
商品编号
C27531833
商品封装
TO-247​
包装方式
管装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
漏源电压(Vdss)1kV
连续漏极电流(Id)24A
导通电阻(RDS(on))440mΩ
耗散功率(Pd)1kW
栅极电荷量(Qg)140nC@10V
属性参数值
输入电容(Ciss)7.2nF
反向传输电容(Crss)50pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)590pF

商品特性

  • 低本征栅极电阻
  • 低封装电感
  • 快速本征整流器
  • 低漏源导通电阻(RDS(on))和栅极电荷(QG)
  • 高功率密度
  • 易于安装
  • 节省空间

应用领域

-DC-DC转换器-电池充电器-开关模式和谐振模式电源-直流斩波器-温度和照明控制

数据手册PDF