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TPCA8131,LQ(S
1个P沟道 耐压:30V 电流:13A
- 描述
- 特性：小而薄的封装。 低漏源导通电阻：RDS(ON) = 12.4 mΩ（典型值）(VGS = -10 V)。 低泄漏电流：IRSS = -10 μA（最大值）(VDS = -30 V)。 增强模式：VDA = -0.8 至 -2.0 V (VDS = -10 V, ID = -0.2 mA)。应用：锂离子二次电池电源管理开关
- 品牌名称
- TOSHIBA(东芝)
- 商品型号
- TPCA8131,LQ(S
- 商品编号
- C27534296
- 商品封装
- SOP-8-Advance(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.177148克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 13A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 22mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 27W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@0.2mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 40nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.7nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 280pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 320pF |
商品特性
- 低导通电阻RDS(on)，以最小化传导损耗
- 低电容，以最小化驱动损耗
- 小尺寸（5 x 6 mm），设计紧凑
- 这些器件无铅、无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS标准
应用领域
- 电机驱动
- 电池保护
- 或门二极管应用
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