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PJ2301实物图
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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

PJ2301

P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:2A

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描述
特性:RDS(ON),VGS@-1.8V,ID@-1.5A = 200mΩ。 RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-2.2A = 105mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 专为DC/DC转换器设计。 低栅极电荷。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤素)
品牌名称
PANJIT(强茂)
商品型号
PJ2301
商品编号
C304448
商品封装
SOT-23​
包装方式
编带
商品毛重
0.035克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量1个P沟道
漏源电压(Vdss)20V
连续漏极电流(Id)2A
导通电阻(RDS(on))200mΩ@1.8V
耗散功率(Pd)700mW
属性参数值
阈值电压(Vgs(th))900mV@250uA
栅极电荷量(Qg)-
输入电容(Ciss)300pF
反向传输电容(Crss)60pF
工作温度-55℃~+150℃
类型P沟道

数据手册PDF

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(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)
起订量:5 个3000个/圆盘

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