PJ2301
P沟道增强型MOSFET 1个P沟道 耐压:20V 电流:2A
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- 描述
- 特性:RDS(ON),VGS@-1.8V,ID@-1.5A = 200mΩ。 RDS(ON),VGS@-4.5V,ID@-2.2A = 105mΩ。 先进的沟槽工艺技术。 用于超低导通电阻的高密度单元设计。 专为DC/DC转换器设计。 低栅极电荷。 符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令的无铅产品。 符合IEC61249标准的绿色模塑料(无卤素)
- 品牌名称
- PANJIT(强茂)
- 商品型号
- PJ2301
- 商品编号
- C304448
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.035克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 200mΩ@1.8V | |
| 耗散功率(Pd) | 700mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 900mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 300pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 60pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
优惠活动
购买数量
(3000个/圆盘,最小起订量 5 个)个
起订量:5 个3000个/圆盘
总价金额:
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