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CSD16342Q5A
1个N沟道 耐压:25V 电流:100A
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- 描述
- CSD16342Q5A 采用 5mm x 6mm SON 封装的单路、5.5mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16342Q5A
- 商品编号
- C2760459
- 商品封装
- VSONP-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4.7mΩ@8V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 3W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.1nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.35nF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ |
商品概述
CSD16342Q5A是25V N沟道NexFET™ 功率MOSFET。NexFET™ 功率MOSFET旨在更大限度地减少功率转换中的损耗，并针对5V栅极驱动应用进行了优化。
商品特性
- 针对 5V 栅极驱动进行了优化
- VGS = 2.5 V 时的额定电阻
- 超低Qg 和 Qgd
- 低热阻
- 具有雪崩能力
- 无铅引脚镀层
- 符合 RoHS
- 无卤素
- SON 5mm x 6mm 塑料封装
应用领域
- 用于组网、电信和计算系统应用的负载点同步降压转换器
- 针对控制或同步FET应用进行了优化