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CSD16408Q5
N沟道,电流:113A,耐压:25V
- 描述
- CSD16408Q5 采用 5mm x 6mm SON 封装的单通道、6.8mΩ、25V、N 沟道 NexFET™ 功率 MOSFET
- 品牌名称
- TI(德州仪器)
- 商品型号
- CSD16408Q5
- 商品编号
- C2760460
- 商品封装
- VSON-8(5x6)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.46克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 113A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 6.8mΩ@10V | |
| 耗散功率(Pd) | 3.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.7nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 1.3nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 100pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 1nF |
商品概述
NexFET功率MOSFET专为最大限度降低功率转换应用中的损耗而设计。
商品特性
- 超低Qg和Qgd
- 低热阻
- 雪崩额定
- SON 5mm×6mm塑料封装
应用领域
- 网络、电信和计算系统中的负载点同步降压
- 针对控制FET应用进行优化