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温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

BSC014N04LS

N沟道 耐压:40V 电流:170A

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描述
特性:针对同步整流进行优化。 极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 出色的热阻。 N沟道,逻辑电平。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 由于扩大了源极互连,具有更高的焊点可靠性
商品型号
BSC014N04LS
商品编号
C2760081
商品封装
TDSON-8FL​
包装方式
编带
商品毛重
0.196克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录场效应管(MOSFET)
数量-
漏源电压(Vdss)40V
连续漏极电流(Id)170A
导通电阻(RDS(on))1.4mΩ@10V
耗散功率(Pd)96W
阈值电压(Vgs(th))2V@250uA
属性参数值
栅极电荷量(Qg)85nC@10V
输入电容(Ciss)6.02nF
反向传输电容(Crss)200pF
工作温度-55℃~+150℃
类型N沟道
输出电容(Coss)1.68nF

商品特性

  • 采用高密度单元设计,可实现极低的漏源导通电阻(RDS(ON))。
  • 出色的导通电阻和最大直流电流承载能力

应用领域

  • PWM应用
  • 负载开关
  • 电源管理

数据手册PDF